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IRLML2803TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.320 | CNY11.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
| 50+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
| 250+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
| 1000+ | CNY0.972 (CNY1.0984) |
| 3000+ | CNY0.752 (CNY0.8498) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 6000+ | CNY0.478 (CNY0.5401) |
| 18000+ | CNY0.469 (CNY0.530) |
品項附註
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产品概述
The IRLML2803PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Ultra low on-resistance
- ±20V gate-source voltage
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
850mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033