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IRLML2803TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.390 | CNY11.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
| 50+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 250+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
| 1000+ | CNY0.999 (CNY1.1289) |
| 3000+ | CNY0.834 (CNY0.9424) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 6000+ | CNY0.512 (CNY0.5786) |
| 18000+ | CNY0.503 (CNY0.5684) |
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产品概述
IRLML2803PBF 是一款 N 沟道 HEXFET® 功率 MOSFET，具有极低的单位硅面积导通电阻和快速的开关性能。第五代 HEXFET 采用先进的工艺技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势，结合 HEXFET® 功率 MOSFET 闻名遐迩的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，适用于各种应用。
- 低轮廓（<lt/>1.1mm）
- 超低导通电阻
- ±20V 栅-源电压
- 无卤
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
850mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033