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IRLML2502TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.660 | CNY13.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.660 (CNY3.0058) |
| 50+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 250+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 1000+ | CNY1.160 (CNY1.3108) |
| 3000+ | CNY0.818 (CNY0.9243) |
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产品概述
IRLML2502PBF 是一款采用 Micro3 (SOT-23) 封装的 20V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET。该 MOSFET 具有极低的单位硅面积导通电阻、坚固耐用、开关速度快等特点，因此，功率 MOSFET 以其极高的效率和可靠性而闻名，可用于各种应用。
- 漏-源电压(Vds): 20V
- 栅-源电压: 12V
- Vgs 4.5V时, 电阻Rds (on)为35mohm
- 功率损耗 Pd 为 1.25W（25°C）
- 在Vgs 4.5V和25°C时，漏极连续电流Id为4.2A
- 工作结温范围：-55°C至150°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.045ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045