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IRFR220NTRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.900 | CNY34.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.900 (CNY7.797) |
| 50+ | CNY5.730 (CNY6.4749) |
| 100+ | CNY4.550 (CNY5.1415) |
| 500+ | CNY3.540 (CNY4.0002) |
| 1000+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFR220NTRPBF
库存编号
复卷2468035RL
切割卷带2468035
也称为SP001577980
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续5A
漏源接通状态电阻0.6ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散43W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IRFR220NTRPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 低栅极-漏极电荷, 以降低开关损耗。适用于高频DC-DC转换器。
- 完全表征电容, 包括有效COSS, 可简化设计
- 全面表征雪崩电压和电流
- 低静态漏-源导通电阻
- 动态dV/dt额定值
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
43W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00046