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IRFL014NTRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.540 | CNY22.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.540 (CNY5.1302) |
| 50+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
| 100+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 500+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 1000+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFL014NTRPBF
库存编号
复卷2468030RL
切割卷带2468030
也称为SP001554878
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续1.9A
漏源接通状态电阻0.16ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The IRFL014NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.9A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.16ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005