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IRFHM792TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFHM792TRPBF复制
库存编号
复卷3775961RL
切割卷带3775961
产品范围HEXFET Series
也称为SP001554848, IRFHM792TRPBF
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFHM792TRPBF复制
库存编号
复卷3775961RL
切割卷带3775961
产品范围HEXFET Series
也称为SP001554848, IRFHM792TRPBF
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道4.8A
连续漏极电流 Id P沟道4.8A
漏源通态电阻N沟道0.164ohm
漏源导通电阻P沟道0.164ohm
晶体管封装类型PQFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道10.4W
耗散功率P沟道10.4W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
4.8A
漏源导通电阻P沟道
0.164ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
10.4W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
4.8A
漏源通态电阻N沟道
0.164ohm
晶体管封装类型
PQFN
耗散功率N沟道
10.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001149