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双MOSFET :
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耗散功率N沟道
=10.4W
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY9.530(CNY10.7689) 10+ CNY5.980(CNY6.7574) 100+ CNY3.950(CNY4.4635) 500+ CNY3.060(CNY3.4578) 1000+ CNY2.790(CNY3.1527) 更多价格信息... | 双N通道 | 30V | - | 6A | - | 0.025ohm | - | PowerPAK ChipFET | 8引脚 | 10.4W | - | 150°C | TrenchFET Series | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY9.890(CNY11.1757) 10+ CNY7.110(CNY8.0343) 100+ CNY5.310(CNY6.0003) 500+ CNY4.500(CNY5.085) 1000+ CNY3.850(CNY4.3505) 更多价格信息... | N通道 | 100V | 100V | 4.8A | 4.8A | 0.164ohm | 0.164ohm | PQFN | 8引脚 | 10.4W | 10.4W | 150°C | HEXFET Series | ||||||
