打印页面
IRFH5010TRPBF 的替代之选
找到 2 件产品
产品概述
IRFH5010TRPBF 是一款HEXFET® 单沟道功率MOSFET, 具有低热阻 (<lt/> 0.5°C/W), 从而为应用提高功率密度和可靠性。适用于二次侧同步整流和DC-DC砖应用。兼容现有的表面安装技术。
- 低RDS (ON) (<lt/>9mΩ), 低传导损耗
- 经过100%Rg测试, 提高可靠性
- 薄型 (<lt/>0.9mm), 高功率密度
- 行业标准引脚布局, 兼容多个供应商产品
- 工业认证MSL-1 (提高可靠性)
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001

