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IRF9952TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
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| 切割卷带 | 5 | CNY4.980 | CNY24.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
| 50+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
| 250+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 1000+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
| 2000+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
品項附註
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产品信息
产品概述
- Dual N-and P- channel HEXFET® power MOSFET
- Generation V technology
- Ultra low on-resistance
- Very low gate charge and switching loses
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
漏源导通电阻P沟道
0.08ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536