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IRF8915TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
包装选项
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF8915TRPBF
库存编号
复卷2579951RL
切割卷带2579951
产品范围HEXFET Series
也称为SP001554494
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道8.9A
连续漏极电流 Id P沟道8.9A
漏源通态电阻N沟道0.0146ohm
漏源导通电阻P沟道0.0146ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (08-Jul-2021)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
8.9A
漏源导通电阻P沟道
0.0146ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
8.9A
漏源通态电阻N沟道
0.0146ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001