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双MOSFET :
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连续漏极电流 Id P沟道
=8.9A
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.620(CNY25.5606) 10+ CNY14.380(CNY16.2494) 100+ CNY9.720(CNY10.9836) 500+ CNY7.850(CNY8.8705) 1000+ CNY7.500(CNY8.475) 更多价格信息... | 双P通道 | - | 12V | - | 8.9A | - | 0.023ohm | SOIC | 8引脚 | - | 1.1W | 150°C | TrenchFET Series | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY6.480(CNY7.3224) 10+ CNY4.660(CNY5.2658) 100+ CNY3.480(CNY3.9324) 500+ CNY2.950(CNY3.3335) 1000+ CNY2.520(CNY2.8476) 更多价格信息... | N通道 | 20V | 20V | 8.9A | 8.9A | 0.0146ohm | 0.0146ohm | SOIC | 8引脚 | 2W | 2W | 150°C | HEXFET Series | ||||||
