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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.920 | CNY44.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 50+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 250+ | CNY5.410 (CNY6.1133) |
| 1000+ | CNY5.190 (CNY5.8647) |
| 2000+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
品項附註
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产品概述
N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择。适用于使用 48V (±10%) 或 36V 至 60V ETSI 范围输入的桥式或双开关正激拓扑结构中的初级侧开关，12V 输出的次级侧同步整流开关，适用于 48V 非隔离同步降压 DC-DC 应用。
- 低栅极漏极电荷, 减少开关损耗
- 完全表征电容, 包括有效COSS, 可简化设计
- 全面表征雪崩电压和电流
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 标准引脚可直接替换
- 行业标准资格水平
- 低频应用中的高性能
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0134ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.9V
针脚数
8引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074