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IRF7341GTRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7341GTRPBF
库存编号
复卷2839483RL
切割卷带2839483
产品范围HEXFET Series
也称为IRF7341GTRPBF, SP001563394
您的零件号
2,819 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY12.350 | CNY61.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.350 (CNY13.9555) |
| 50+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 250+ | CNY7.240 (CNY8.1812) |
| 1000+ | CNY7.000 (CNY7.910) |
| 2000+ | CNY6.920 (CNY7.8196) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7341GTRPBF
库存编号
复卷2839483RL
切割卷带2839483
产品范围HEXFET Series
也称为IRF7341GTRPBF, SP001563394
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Advanced process technology
- Dual N-channel MOSFET
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00027