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IRF7103TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.350 | CNY21.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 50+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
| 250+ | CNY2.460 (CNY2.7798) |
| 1000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 2000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 12000+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
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IRF7103TRPBF 的替代之选
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产品概述
IRF7103TRPBF 是一款双 N 沟道 MOSFET，设计用于气相、红外或波峰焊接技术。通过定制引线框架对其进行了改进，增强了热特性和双芯片能力，使其成为各种功率应用的理想之选。通过这些改进，可在一个应用中使用多个器件，大大减少了电路板空间。
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 表面安装设备
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关性能
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
3A
漏源导通电阻P沟道
0.11ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.11ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00031