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IRF540NSTRLPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY25.070 (CNY28.3291) |
| 10+ | CNY16.250 (CNY18.3625) |
| 100+ | CNY11.160 (CNY12.6108) |
| 500+ | CNY8.440 (CNY9.5372) |
| 1000+ | CNY8.280 (CNY9.3564) |
| 5000+ | CNY8.110 (CNY9.1643) |
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产品概述
IRF540NSTRLPBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET，利用先进的处理技术实现了单位硅面积上的极低导通电阻。这一优点与快速的开关速度和坚固的器件设计相结合，为各种应用提供了极为高效和可靠的操作。表面安装电源封装能够容纳尺寸达HEX-4的芯片。它在任何现有的表面安装封装中提供最高的功率能力和最低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，它适用于大电流应用，在典型的表面安装应用中可耗散高达2W。
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关
- 完全雪崩认证
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
130W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.044ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001724