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IPD30N03S4L14ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 A, 0.0136 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.920 | CNY8.92 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 10+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 100+ | CNY3.590 (CNY4.0567) |
| 500+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 1000+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 5000+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD30N03S4L14ATMA1复制
库存编号
复卷2480826RL
切割卷带2480826
也称为IPD30N03S4L-14, SP000275919
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.0136ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散31W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IPD30N03S4L-14 是一款N沟道增强模式MOSFET, 具有低开关和传导功率损耗, 可实现高热能效率。
- AEC-Q101合规
- MSL1高达260°C峰值回流
- 绿色设备
- 100％经过雪崩测试
- 优化的总栅极电荷, 仅需较小的驱动器输出级
- 低RDS (ON)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
31W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0136ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD30N03S4L14ATMA1 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143