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IPB072N15N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY30.330 | CNY30.33 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY30.330 (CNY34.2729) |
| 10+ | CNY19.800 (CNY22.374) |
| 50+ | CNY15.550 (CNY17.5715) |
| 200+ | CNY14.540 (CNY16.4302) |
| 500+ | CNY13.530 (CNY15.2889) |
品項附註
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产品概述
IPB072N15N3 G是一款OptiMOS™ 3 N沟道功率晶体管, 低电阻, 出色的开关性能, 高效率, 出色的栅极电荷 x R DS (ON)乘积(FOM), 占用电路板空间非常小。
- 环保型
- 高功率密度
- 占用极小的电路板空间
- 易于设计
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
7200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001585