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IPB017N06N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB017N06N3GATMA1
库存编号1775519
也称为IPB017N06N3 G, SP000434404
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻1700µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散250W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The IPB017N06N3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
7引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
IPB017N06N3GATMA1 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002