打印页面
IMLT40R011M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HDSOP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
1,715 有货
需要更多？
1,715 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY129.390 (CNY146.2107) |
| 5+ | CNY97.600 (CNY110.288) |
| 10+ | CNY75.990 (CNY85.8687) |
| 50+ | CNY71.870 (CNY81.2131) |
| 100+ | CNY68.350 (CNY77.2355) |
| 250+ | CNY67.630 (CNY76.4219) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY129.39 (CNY146.21 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMLT40R011M2HXTMA1复制
库存编号4803608
产品范围CoolSiC G2 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续144A
漏源电压, Vds400V
漏源接通状态电阻0.0144ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数16引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散429W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
144A
漏源接通状态电阻
0.0144ohm
针脚数
16引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
400V
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
429W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001