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CY7C1011DV33-10ZSXI
SRAM, 异步SRAM, 2 Mbit, 128K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 3 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY35.390 (CNY39.9907) |
| 10+ | CNY34.160 (CNY38.6008) |
| 25+ | CNY33.920 (CNY38.3296) |
| 50+ | CNY33.750 (CNY38.1375) |
| 100+ | CNY31.440 (CNY35.5272) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1011DV33-10ZSXI复制
库存编号2767931
也称为SP005644621, CY7C1011DV33-10ZSXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度2Mbit
记忆配置128K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY7C1011DV33-10ZSXI是一款高性能CMOS静态RAM，组织为128K字×16位。 向器件写入数据需将芯片使能（低电平有效CE）和写使能（低电平有效WE）置为低电平。从器件读取数据需将芯片使能（低电平有效CE）和输出使能（低电平有效OE）置为低电平，同时将写使能（低电平有效WE）置为高电平。 当器件未选通时（低电平有效CE为高电平），输入/输出引脚（I/O0至I/O15）置于高阻抗状态；当输出禁用（低电平有效OE为高电平）时， 低电平有效BHE与低电平有效BLE禁用（低电平有效BHE、低电平有效BLE为高电平），或处于写入操作期间（低电平有效CE为低电平，低电平有效WE为低电平）。
- 引脚和功能兼容 CY7C1011CV33
- 高速，tAA=10ns
- VCC工作供电电流在100MHz时最大为90mA，VCC=最大值，f=fMAX=1/tRC
- 自动 CE 关断电流 - CMOS 输入在最大 VCC 时为 10mA，CE<gt/>VCC-0.3V，VIN<gt/>VCC-0.3V/VIN<lt/>0.3V
- 2.0V电压下数据保持能力
- 未选中时自动断电，独立控制高位和低位
- 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- Vcc为3.3V ±0.3V
- 44 引脚 TSOP II 封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
128K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
2Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
3V
额定电源电压
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002557