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BSZ22DN20NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 7 A, 0.194 ohm, TSDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ22DN20NS3GATMA1复制
制造商标准货期60 周
库存编号
复卷2443374RL
切割卷带2443374
也称为BSZ22DN20NS3 G, SP000781794
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY11.670 | CNY11.67 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.670 (CNY13.1871) |
| 10+ | CNY7.400 (CNY8.362) |
| 100+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 500+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 1000+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 5000+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
品項附註
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产品信息
产品概述
The BSZ22DN20NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
34W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.194ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003