打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。

制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ123N08NS3GATMA1复制
制造商标准货期54 周
库存编号
EACH 1775505
EACH 1775505RL
也称为BSZ123N08NS3 G, SP000443632
您的零件号
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.970 (CNY6.7461) |
| 10+ | CNY5.370 (CNY6.0681) |
| 100+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 500+ | CNY4.700 (CNY5.311) |
| 1000+ | CNY4.380 (CNY4.9494) |
| 5000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY5.97 (CNY6.75 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
产品概述
BSZ123N08NS3 G是一款80V N沟道功率MOSFET,为发电(如太阳能微型逆变器)、供电(如服务器和电信)和耗电(如电动汽车)提供高效的解决方案。OptiMOS™ MOSFET在各电压等级中提供业界最低的RDS(导通)。它非常适用于高频开关应用和DC-DC转换器的优化技术。
- 双面散热
- 低寄生电感
- 低轮廓(<lt/>0.7mm)
- 低开关与传导损耗
- 优秀的热阻
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
PG-TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
66W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0123ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00014
