BSZ040N06LS5ATMA1

BSZ040N06LS5ATMA1 是 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET。其逻辑电平非常适合无线充电、适配器和电信应用。该器件的栅极电荷 (Q g) 很低，可在不影响传导损耗的情况下降低开关损耗。改进后的性能指标允许在高开关频率下工作。此外，逻辑电平驱动提供了较低的栅极阈值电压（V GS(th)），使 MOSFET 能够在 5V 电压下直接由微控制器驱动。潜在应用包括无线充电、适配器和电信。典型应用包括 48V 配电、家用机器人和边缘服务器解决方案。

• 小封装、低 RDS(on)、低栅极电荷、低输出电荷、逻辑电平兼容性
• 更高的功率密度设计，更高的开关频率
• 直接由微控制器驱动（开关速度慢），降低系统成本
• 100% 经过雪崩测试，具有出色的耐热性
• 目标应用符合 JEDEC1 标准
• 在 VGS=0V, ID=1mA, Tj=25°C 时，漏源击穿电压为 60V
• 在 VGS=10V, ID=20A, Tj=25°C 时，漏源导通电阻最大值为 4 mohm
• 在 VGS=10V 和 TC=25°C 时，漏极连续电流最大为 101A
• PG-TSDSON-8 FL 封装
• 工作和存储温度范围为 -55 至 150°C

警告

该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。