打印页面
BSL308PEH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSL308PEH6327XTSA1复制
制造商标准货期28 周
库存编号
复卷2725818RL
切割卷带2725818
也称为BSL308PE H6327, SP001101004
您的零件号
4,984 有货
需要更多？
4,984 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.310 | CNY8.31 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
| 10+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
| 100+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 500+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 1000+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 5000+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSL308PEH6327XTSA1复制
制造商标准货期28 周
库存编号
复卷2725818RL
切割卷带2725818
也称为BSL308PE H6327, SP001101004
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道2A
连续漏极电流 Id P沟道2A
漏源通态电阻N沟道0.062ohm
漏源导通电阻P沟道0.062ohm
晶体管封装类型TSOP
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- OptiMOS™ P3 small-signal-transistor
- Dual P-channel
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- ESD protected
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2A
漏源导通电阻P沟道
0.062ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
OptiMOS P3 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2A
漏源通态电阻N沟道
0.062ohm
晶体管封装类型
TSOP
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001