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BSG0813NDIATMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 25 V, 50 A, 2400 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.400 (CNY24.182) |
| 10+ | CNY14.540 (CNY16.4302) |
| 100+ | CNY10.860 (CNY12.2718) |
| 500+ | CNY9.190 (CNY10.3847) |
| 1000+ | CNY7.960 (CNY8.9948) |
| 5000+ | CNY7.480 (CNY8.4524) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSG0813NDIATMA1复制
库存编号4853912
产品范围OptiMOS 5 Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道50A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道2400µohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TISON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道6.25W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
50A
漏源通态电阻N沟道
2400µohm
晶体管封装类型
TISON
耗散功率N沟道
6.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015