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BSC123N10LSGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 10+ | CNY12.500 (CNY14.125) |
| 100+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 500+ | CNY6.840 (CNY7.7292) |
| 1000+ | CNY5.740 (CNY6.4862) |
| 5000+ | CNY5.520 (CNY6.2376) |
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产品概述
BSC123N10LS G 是一款100V N沟道功率MOSFET, 适用于高效率高功率密度SMPS应用。与其他晶体管相比, 这款MOSFET的RDS (导通)和FOM (品质因数)均降低了30％。OptiMOS™ MOSFET具有业界超低的RDS (on)。该器件非常适合高频开关应用, 以及DC-DC转换器。
- 优秀的开关性能
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 易于设计
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
71A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
114W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0123ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.85V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000166