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BSC057N08NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY12.560 | CNY62.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.560 (CNY14.1928) |
| 50+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
| 250+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
| 1000+ | CNY6.270 (CNY7.0851) |
| 3000+ | CNY5.860 (CNY6.6218) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC057N08NS3GATMA1
库存编号
复卷2432707RL
切割卷带2432707
也称为BSC057N08NS3 G, SP000447542
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻5700µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散114W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC057N08NS3 G是一款80V N沟道功率MOSFET, 可为高效率高功率密度SMPS提供解决方案OptiMOS™ MOSFET在同等电压级别内提供业界最低的RDS (on). 该器件非常适合高频开关应用, 以及用于DC-DC转换器的优化技术.
- 双面散热
- 低寄生电感
- 低轮廓（<lt/>0.7mm）
- 低开关与传导损耗
- 极低导通电阻RDS (on)
- 优秀的热阻
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
114W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
5700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSC057N08NS3GATMA1 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000161