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BSC054N04NSGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.120 (CNY10.3056) |
| 10+ | CNY5.700 (CNY6.441) |
| 100+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 500+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
| 1000+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 5000+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC054N04NSGATMA1
库存编号1775448
也称为BSC054N04NS G , SP000354808
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续81A
漏源接通状态电阻5400µohm
晶体管封装类型PG-TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散57W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC054N04NS G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET, 适用于开关模式电源 (SMPS)中同步整流应用. 可用于广泛的工业应用, 包括快速开关DC-DC转换器等.
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- 极低导通电阻RDS (on)
- 非常适合快速开关应用
- MSL1级别
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 非常低的过冲电压
- 逻辑电平
- 优秀的热阻
- 100%经过雪崩测试
- 无卤素, 绿色设备
- 目标应用符合JEDEC标准
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
81A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
5400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002