打印页面
BSB044N08NN3GXUMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品概述
The BSB044N08NN3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Compatible with DirectFET® package MN footprint and outline
- Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
WDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
3700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003629