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AUIRF7343QTR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7343QTR
库存编号
复卷2803372RL
切割卷带2803372
产品范围HEXFET Series
也称为AUIRF7343QTR, SP001517450
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.710 | CNY12.71 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.710 (CNY14.3623) |
| 10+ | CNY10.540 (CNY11.9102) |
| 100+ | CNY8.900 (CNY10.057) |
| 500+ | CNY8.130 (CNY9.1869) |
| 1000+ | CNY7.600 (CNY8.588) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7343QTR
库存编号
复卷2803372RL
切割卷带2803372
产品范围HEXFET Series
也称为AUIRF7343QTR, SP001517450
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道4.7A
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
产品概述
- 汽车HEXFET®功率MOSFET
- 车用级别
- 先进的平面技术
- 超低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 双N和P沟道MOSFET
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
4.7A
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227