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AUIRF7313QTR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.023 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY17.400 | CNY17.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.400 (CNY19.662) |
| 10+ | CNY12.840 (CNY14.5092) |
| 100+ | CNY10.290 (CNY11.6277) |
| 500+ | CNY9.260 (CNY10.4638) |
| 1000+ | CNY8.720 (CNY9.8536) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7313QTR
库存编号
复卷2579949RL
切割卷带2579949
产品范围HEXFET Series
也称为SP001519208
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续6.9A
在电阻RDS（上）0.023ohm
连续漏极电流 Id N沟道6.9A
连续漏极电流 Id P沟道6.9A
漏源通态电阻N沟道0.023ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.023ohm
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
功耗 Pd2.4W
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道2.4W
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.023ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6.9A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2.4W
耗散功率P沟道
2.4W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
6.9A
连续漏极电流 Id N沟道
6.9A
漏源通态电阻N沟道
0.023ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001