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AIMDQ75R007M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 220 A, 750 V, 0.0063 ohm, HDSOP
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制造商INFINEON
制造商产品编号AIMDQ75R007M2HXTMA1复制
制造商标准货期59 周
库存编号4916061
产品范围CoolSiC G2 Series
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY326.670 (CNY369.1371) |
| 5+ | CNY283.160 (CNY319.9708) |
| 10+ | CNY238.470 (CNY269.4711) |
| 50+ | CNY225.950 (CNY255.3235) |
| 100+ | CNY215.860 (CNY243.9218) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY326.67 (CNY369.14 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMDQ75R007M2HXTMA1复制
制造商标准货期59 周
库存编号4916061
产品范围CoolSiC G2 Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续220A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.0063ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数22引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散789W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
220A
漏源接通状态电阻
0.0063ohm
针脚数
22引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
789W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001