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1EDS5663HXUMA1
MOSFET驱动器, 高压侧, 3V至3.5V电源, 8A输出, 37ns延迟, SOIC-16
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|---|---|
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| 10+ | CNY15.280 (CNY17.2664) |
| 50+ | CNY14.290 (CNY16.1477) |
| 100+ | CNY13.290 (CNY15.0177) |
| 250+ | CNY12.510 (CNY14.1363) |
| 500+ | CNY10.920 (CNY12.3396) |
| 1000+ | CNY9.520 (CNY10.7576) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号1EDS5663HXUMA1复制
库存编号2981536
产品范围GaN EiceDRIVER
也称为1EDS5663H, SP002753980
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧
电源开关类型GaN HEMT
针脚数16引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型-
拉电流-
灌电流-
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
输入延迟37ns
输出延迟37ns
产品范围GaN EiceDRIVER
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CoolGaN™ 以及类似的GaN开关在"ON"状态下, 需要几mA连续栅极电流。此外, 由于低阈值电压和快速开关瞬变, 可能需要负压"关断"电压。Infineon GaN EiceDRIVER™ 解决了这些问题。两个输出级可实现零"OFF"电平, 消除任何占空比依赖关系; 此外, 差分拓扑设计可以提供负栅极驱动, 而无需负电源电压。但是, 该器件需要浮动电源电压, 不兼容自举。
- 栅极驱动器芯片, 用于Infineon高压GaN电源开关 (CoolGaN™, X-GaN™)
- 单输出电源电压 (8 V典型值, 浮动)
- 开关特性与占空比无关 (2个"OFF"电压)
- 差分设计, 确保在任何情况下负栅极驱动电压
- 快速输入-输出传播 (37 ns), 出色稳定性 (+7/-6ns)
- 输入-输出隔离, 基于无芯变压器 (CT) 技术
- 共模瞬变抗扰 (CMTI) <gt/> 200 V/ns
警告
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技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧
针脚数
16引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
-
电源电压最小值
3V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
37ns
产品范围
GaN EiceDRIVER
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
GaN HEMT
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
-
灌电流
-
电源电压最大值
3.5V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
37ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001