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1EDN6550BXTSA1
栅极驱动器, 1 放大器, 非隔离, 高压侧和低压侧, GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET, 6 引脚, SOT-23
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY5.270 | CNY5.27 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.270 (CNY5.9551) |
| 10+ | CNY3.360 (CNY3.7968) |
| 100+ | CNY2.740 (CNY3.0962) |
| 500+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 1000+ | CNY2.570 (CNY2.9041) |
| 2500+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
| 5000+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号1EDN6550BXTSA1复制
库存编号
复卷4335317RL
切割卷带4335317
也称为SP005570665, 1EDN6550B
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型非隔离
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET
针脚数6引脚
IC 外壳 / 封装SOT-23
芯片安装表面安装
输入类型反相, 非反相
拉电流4A
灌电流8A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值150°C
输入延迟45ns
输出延迟45ns
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
1EDN6550BXTSA1 is an EiceDRIVER™ single-channel high-side and low-side gate driver with high-CMR TDI inputs. It has a fully differential input circuitry. The truly differential inputs (TDI) provide excellent common-mode robustness (CMR) and eliminates the risk of false triggering. The small package footprints enable versatile layout in both low-side and high-side driving. It is used in applications such as server, telecom and industrial SMPS, DC-DC converters and bricks, power tools, motor control.
- 4-pin Kelvin-source MOSFETs in boost PFCs, 12.2V 11.5V (UVLO ON/OFF)
- Low-side driving with high PCB parasitic inductance
- High-side driving in switched tank converters
- High and low-side driving in half and full-bridges
- Driving SJ and SiC MOSFETs, GaN HEMTs, switches requiring negative drive voltage
- CMR static is ±200V maximum, CMR dynamic is ±400V maximum
- VDD quiescent current is 1.1mA typical at (OUT = high,VDD = 12V)
- Input-to-output propagation delay turn-on is 45ns typical at (CL = 200pF)
- Sinking output current is -9.4A typical at (VDD = 18V)
- Junction temperature range from -40°C to 150°C, 6-lead SOT23 package
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
6引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
45ns
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
栅极驱动器类型
非隔离
电源开关类型
GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOT-23
输入类型
反相, 非反相
灌电流
8A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
150°C
输出延迟
45ns
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000638