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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 驱动器封装类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 产品范围 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY6.420(CNY7.2546) 10+ CNY4.040(CNY4.5652) 100+ CNY3.290(CNY3.7177) 500+ CNY3.140(CNY3.5482) 1000+ CNY3.070(CNY3.4691) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN、IGBT、MOSFET | - | 5引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.150(CNY19.3795) 10+ CNY11.650(CNY13.1645) 50+ CNY11.050(CNY12.4865) 100+ CNY10.440(CNY11.7972) 250+ CNY10.040(CNY11.3452) | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | - | 16引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER 2EDi | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY3.190(CNY3.6047) 50+ CNY2.900(CNY3.277) 100+ CNY2.610(CNY2.9493) 500+ CNY2.400(CNY2.712) 1500+ CNY2.350(CNY2.6555) | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 1EDN | - | ||||||
3005799 RoHS | TEXAS INSTRUMENTS | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY7.540(CNY8.5202) 10+ CNY4.910(CNY5.5483) 100+ CNY4.050(CNY4.5765) 500+ CNY3.880(CNY4.3844) 1000+ CNY3.740(CNY4.2262) 更多价格信息... | 1放大器 | - | 低压侧 | IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 18V | -40°C | 140°C | - | - | - | - | ||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY21.430(CNY24.2159) 10+ CNY14.530(CNY16.4189) 50+ CNY13.750(CNY15.5375) 100+ CNY12.970(CNY14.6561) 250+ CNY12.280(CNY13.8764) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | - | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY4.860(CNY5.4918) 10+ CNY3.110(CNY3.5143) 100+ CNY2.540(CNY2.8702) 500+ CNY2.420(CNY2.7346) 1000+ CNY2.390(CNY2.7007) | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | WSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 1EDN | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.650(CNY6.3845) 10+ CNY3.560(CNY4.0228) 100+ CNY2.900(CNY3.277) 500+ CNY2.770(CNY3.1301) 1000+ CNY2.660(CNY3.0058) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 1EDN | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY25.150(CNY28.4195) 10+ CNY17.110(CNY19.3343) 50+ CNY16.250(CNY18.3625) 100+ CNY15.390(CNY17.3907) 250+ CNY14.530(CNY16.4189) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | - | 16引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 35ns | - | - | ||||||
POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY404.880(CNY457.5144) 5+ CNY388.660(CNY439.1858) 10+ CNY372.440(CNY420.8572) 25+ CNY259.090(CNY292.7717) 50+ CNY256.630(CNY289.9919) | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 8A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2+ Series | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.950(CNY22.5435) 10+ CNY15.770(CNY17.8201) 50+ CNY14.750(CNY16.6675) 100+ CNY14.180(CNY16.0234) 250+ CNY13.630(CNY15.4019) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | - | 16引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY26.590(CNY30.0467) 10+ CNY20.040(CNY22.6452) 25+ CNY18.430(CNY20.8259) 50+ CNY17.520(CNY19.7976) 100+ CNY16.610(CNY18.7693) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 150°C | 37ns | 37ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.420(CNY30.9846) 10+ CNY20.650(CNY23.3345) 25+ CNY18.970(CNY21.4361) 50+ CNY18.060(CNY20.4078) 100+ CNY17.140(CNY19.3682) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.140(CNY30.6682) 10+ CNY26.600(CNY30.058) 25+ CNY26.060(CNY29.4478) 50+ CNY25.520(CNY28.8376) 100+ CNY24.970(CNY28.2161) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER 2EDi | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.590(CNY13.0967) 10+ CNY7.780(CNY8.7914) 50+ CNY7.340(CNY8.2942) 100+ CNY6.900(CNY7.797) 250+ CNY6.490(CNY7.3337) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 低压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相 | 4A | 8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | - | - | ||||||
POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY404.880(CNY457.5144) 5+ CNY388.660(CNY439.1858) 10+ CNY372.440(CNY420.8572) 25+ CNY323.870(CNY365.9731) 50+ CNY259.340(CNY293.0542) | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 8A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2+ Series | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.690(CNY26.7697) 10+ CNY16.120(CNY18.2156) 50+ CNY15.280(CNY17.2664) 100+ CNY14.430(CNY16.3059) 250+ CNY13.620(CNY15.3906) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | - | 16引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | ||||||
POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY404.880(CNY457.5144) 5+ CNY388.660(CNY439.1858) 10+ CNY372.440(CNY420.8572) 25+ CNY323.870(CNY365.9731) 50+ CNY259.090(CNY292.7717) | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT | - | - | 模块 | 通孔安装 | - | 8A | 8A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2+ Series | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY7.780(CNY8.7914) 10+ CNY5.030(CNY5.6839) 100+ CNY4.110(CNY4.6443) 500+ CNY3.950(CNY4.4635) 1000+ CNY3.540(CNY4.0002) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | XFDFN | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1ED | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.270(CNY5.9551) 10+ CNY3.360(CNY3.7968) 100+ CNY2.740(CNY3.0962) 500+ CNY2.670(CNY3.0171) 1000+ CNY2.570(CNY2.9041) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.810(CNY6.5653) 10+ CNY3.720(CNY4.2036) 100+ CNY3.040(CNY3.4352) 500+ CNY2.900(CNY3.277) 1000+ CNY2.800(CNY3.164) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.290(CNY19.5377) 10+ CNY11.670(CNY13.1871) 50+ CNY11.060(CNY12.4978) 100+ CNY10.440(CNY11.7972) 250+ CNY9.840(CNY11.1192) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | LGA | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY6.030(CNY6.8139) 10+ CNY3.860(CNY4.3618) 100+ CNY3.160(CNY3.5708) 500+ CNY3.050(CNY3.4465) 1000+ CNY2.930(CNY3.3109) 更多价格信息... | 1放大器 | - | 低压侧 | MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 非反向 | 8A | 8A | 0V | 40V | -56°C | 150°C | - | - | - | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.060(CNY12.4978) 10+ CNY5.680(CNY6.4184) 100+ CNY3.740(CNY4.2262) 500+ CNY3.270(CNY3.6951) 1000+ CNY2.940(CNY3.3222) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY7.430(CNY8.3959) 10+ CNY4.680(CNY5.2884) 100+ CNY3.800(CNY4.294) 500+ CNY3.640(CNY4.1132) 1000+ CNY3.490(CNY3.9437) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | SOT-23 | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.990(CNY19.1987) 10+ CNY11.430(CNY12.9159) 50+ CNY10.830(CNY12.2379) 100+ CNY10.220(CNY11.5486) 250+ CNY9.690(CNY10.9497) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | - | IGBT | - | 8引脚 | NSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 8A | 8A | 2.4V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
