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ZXMP4A16GTA
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 切割卷带 | 1 | CNY11.420 | CNY11.42 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.420 (CNY12.9046) |
| 10+ | CNY7.160 (CNY8.0908) |
| 50+ | CNY4.740 (CNY5.3562) |
| 200+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
| 500+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMP4A16GTA
库存编号
复卷7564945RL
切割卷带7564945
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续6.4A
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散3.9W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
ZXMP4A16GTA 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括 DC-DC 转换器、电源管理功能和背光。
- 低输入电容、低导通电阻
- 快速开关速度
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -40V
- 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±20V
- 在 TA=+25°C、VGS=-10V、稳态时，漏极连续电流为 -6.4A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 -21A
- 在 VGS=-10V, ID=-3.8A, TA=+25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大值为 60 mohm
- 在 VDS = VGS、ID = -250µA、TA = +25°C 时，栅极阈值电压最小为 -1.0V
- SOT223（DN 型）封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
6.4A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012