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ZXMN6A11DN8TA
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.560 | CNY9.56 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.560 (CNY10.8028) |
| 10+ | CNY6.000 (CNY6.780) |
| 100+ | CNY3.980 (CNY4.4974) |
| 500+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
| 1000+ | CNY2.460 (CNY2.7798) |
| 5000+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMN6A11DN8TA
库存编号
复卷1471151RL
切割卷带1471151
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道3.2A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.18ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The ZXMN6A11DN8TA is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET with unique structure combining the benefits of low ON-resistance and fast switching. It is ideal for DC-to-DC converter applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.2A
漏源通态电阻N沟道
0.18ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074