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ZXMHC3F381N8TC
双路场效应管, MOSFET, 半桥接, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
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| 切割卷带 | 5 | CNY8.870 | CNY44.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.870 (CNY10.0231) |
| 50+ | CNY7.390 (CNY8.3507) |
| 100+ | CNY5.890 (CNY6.6557) |
| 500+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
| 1000+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
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产品信息
产品概述
The ZXMHC3F381N8TC is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET H-Bridge offers low ON-resistance achievable with low gate drive. It is ideal for DC to AC inverter applications.
警告
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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
3.98A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
870mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.98A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
870mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000302