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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率N沟道
=870mW
1
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY8.870(CNY10.0231) 50+ CNY7.390(CNY8.3507) 100+ CNY5.890(CNY6.6557) 500+ CNY4.630(CNY5.2319) 1000+ CNY4.230(CNY4.7799) | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 3.98A | 3.98A | 0.033ohm | 0.033ohm | SOIC | 8引脚 | 870mW | 870mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.050(CNY17.0065) 10+ CNY9.610(CNY10.8593) 100+ CNY6.380(CNY7.2094) 500+ CNY5.020(CNY5.6726) 1000+ CNY4.100(CNY4.633) 更多价格信息... | 补充双N和双P沟道 | 30V | 30V | 2.17A | 2.17A | 0.125ohm | 0.21ohm | SOIC | 8引脚 | 870mW | 870mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY9.490(CNY10.7237) 10+ CNY6.100(CNY6.893) 100+ CNY4.300(CNY4.859) 500+ CNY3.680(CNY4.1584) | 补充双N和双P沟道 | 60V | 60V | 1.39A | 1.39A | 0.25ohm | 0.25ohm | SOIC | 8引脚 | 870mW | 870mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.630(CNY16.5319) 10+ CNY8.470(CNY9.5711) 100+ CNY5.960(CNY6.7348) 500+ CNY4.940(CNY5.5822) 1000+ CNY4.540(CNY5.1302) 更多价格信息... | 补充双N和双P沟道 | 100V | 100V | 800mA | 800mA | 0.7ohm | 1ohm | SOIC | 8引脚 | 870mW | 870mW | 150°C | ||||||
