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ZXM61P03F
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.760 | CNY18.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 50+ | CNY2.490 (CNY2.8137) |
| 100+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
| 500+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
| 1500+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXM61P03F
库存编号
复卷9525300RL
切割卷带9525300
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续1.1A
漏源接通状态电阻0.35ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散625mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
ZXM61P03F 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。它采用独特的结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优点。这使其成为高效率、低电压、电源管理应用的理想之选。典型应用包括直流-直流转换器、电源管理功能、隔离开关和电机控制。
- 低导通电阻、快速开关速度
- 低栅极驱动，低阈值
- 漏极-源极电压为 -30V
- 栅极-源极电压为 ±20V
- 在 TA=+25°C 和 VGS=-10V 时，漏极连续电流为 -1.1A
- 在 ID=-250µA、VGS=0V、Tamb = 25°C 时，漏极-源极击穿电压为 -30V min
- 在 ID=-250µA、VDS= VGS、Tamb = 25°C 时，栅极-源极阈值电压为 -1.0V（最小）
- 在 VGS=-10V, ID=-0.6A, Tamb = 25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大值为 0.35ohm
- SOT23封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.1A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
625mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.35ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033