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VN10LF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.050 | CNY35.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.050 (CNY7.9665) |
| 50+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 100+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
| 500+ | CNY2.800 (CNY3.164) |
| 1500+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
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产品概述
VN10LF 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS FET
- 漏源电压为 60V
- 在Tamb=25°C 时，连续漏极电流为 150mA
- 脉冲漏极电流为 3A
- 栅源电压为 ±20V
- 在Tamb=25°C 时，功率耗散为 330mW
- 在 VGS=10V, ID=500mA, Tamb=25°C 时，静态漏源导通电阻最大为 5ohm
- 在 VDS=60 V、VGS=0V、Tamb=25°C 时，零栅极电压漏极电流最大为 10µA
- 在 VDD ≈15V、ID=600mA、Tamb=25°C 时，导通/关断时间最大为 10ns
- SOT23封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033