打印页面
MMBT5401-7-F
单晶体管 双极, PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,918 有货
需要更多？
2918 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.845 | CNY4.22 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.845 (CNY0.9548) |
| 50+ | CNY0.685 (CNY0.774) |
| 100+ | CNY0.524 (CNY0.5921) |
| 500+ | CNY0.323 (CNY0.365) |
| 1500+ | CNY0.317 (CNY0.3582) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.238 (CNY0.2689) |
| 9000+ | CNY0.234 (CNY0.2644) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号MMBT5401-7-F
库存编号
整卷3127559
复卷3127413RL
切割卷带3127413
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压150V
连续集电极电流600mA
功率耗散310mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率300MHz
直流电流增益, Hfe 最小值60hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
MMBT5401-7-F is a PNP high-voltage transistor.
- Epitaxial planar die construction
- Complementary NPN type - MMBT5551
- Ideal for low-power amplification and switching
- SOT23 package
- Power dissipation is 310mW at TA = +25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
- Collector-emitter saturation voltage is -0.2V max at IC = -10mA, IB = -1mA, TA = +25°C
- Current gain-bandwidth product is 300MHz max at VCE = -10V, IC = -10mA, f = 100MHz
- Noise figure is 8.0dB max at VCE = -5V, IC = -200μA, RS = 10 ohm, f = 1kHz
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
600mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
60hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
150V
功率耗散
310mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
300MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
MMBT5401-7-F 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000212