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DMT10H010LK3-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY17.160 | CNY17.16 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.160 (CNY19.3908) |
| 10+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
| 100+ | CNY8.050 (CNY9.0965) |
| 500+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
| 1000+ | CNY5.370 (CNY6.0681) |
| 5000+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT10H010LK3-13复制
库存编号
复卷2709548RL
切割卷带2709548
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续68.8A
漏源接通状态电阻6500µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
产品概述
DMT10H010LK3-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin TO-252 (DPAK) package. This MOSFET features low on-state resistance (RDS(ON)) and fast switching making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include power management functions, DC-DC converters and backlighting.
- Dain-source voltage is 100V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 275A
- Total power dissipation is 3W
- Low RDS(ON) minimizes power losses
- Low Qg minimizes switching losses
- 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
68.8A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000315