打印页面
DMP6023LE-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,041 有货
20,000 您现在可以预订货品了
2,041 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.090 | CNY30.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
| 50+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 100+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 500+ | CNY3.120 (CNY3.5256) |
| 1000+ | CNY2.820 (CNY3.1866) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP6023LE-13复制
库存编号
复卷3127372RL
切割卷带3127372
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续18.2A
漏源接通状态电阻0.028ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散17.3W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
DMP6023LE-13 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括背光、电源管理功能、DC-DC 转换器。
- 导通电阻低、开关速度快、阈值低
- 低栅极驱动、低输入电容
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -60V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA=+25°C 和 VGS=-10V 时，漏极连续电流为 -7A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -50A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 2W
- 在VGS = -10V、ID = -5A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 28 mohm
- SOT223 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18.2A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
17.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000209