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DMP56D0UV-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.500 | CNY22.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
| 10+ | CNY2.910 (CNY3.2883) |
| 100+ | CNY1.870 (CNY2.1131) |
| 500+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
| 1000+ | CNY0.855 (CNY0.9662) |
| 5000+ | CNY0.839 (CNY0.9481) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP56D0UV-7
库存编号
复卷3944155RL
切割卷带3944155
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道160mA
连续漏极电流 Id P沟道160mA
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道6ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道400mW
耗散功率P沟道400mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
160mA
漏源导通电阻P沟道
6ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
400mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
160mA
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001