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双MOSFET :
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制造商
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连续漏极电流 Id P沟道
=160mA
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id N沟道
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晶体管安装
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY2.850(CNY3.2205) 50+ CNY1.870(CNY2.1131) 100+ CNY1.180(CNY1.3334) 500+ CNY0.786(CNY0.8882) 1500+ CNY0.741(CNY0.8373) | - | P通道 | - | - | 50V | - | - | - | 160mA | - | 4.5ohm | - | SOT-363 | - | 6引脚 | - | - | 445mW | 150°C | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY6.320(CNY7.1416) 10+ CNY4.220(CNY4.7686) 100+ CNY2.710(CNY3.0623) 500+ CNY1.820(CNY2.0566) 1000+ CNY1.030(CNY1.1639) 更多价格信息... | - | P通道 | 50V | - | 50V | - | - | 160mA | 160mA | - | 6ohm | - | SOT-563 | - | 6引脚 | - | 400mW | 400mW | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.710(CNY3.0623) 500+ CNY1.820(CNY2.0566) 1000+ CNY1.030(CNY1.1639) 5000+ CNY1.010(CNY1.1413) | P沟道 | P通道 | 50V | 50V | 50V | 160mA | 4.6ohm | 160mA | 160mA | 表面安装 | 6ohm | 4V | SOT-563 | 1.2V | 6引脚 | 400mW | 400mW | 400mW | 150°C | - | ||||||
