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DMP210DUDJ-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY3.970 | CNY19.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.970 (CNY4.4861) |
| 10+ | CNY2.520 (CNY2.8476) |
| 100+ | CNY1.780 (CNY2.0114) |
| 500+ | CNY1.410 (CNY1.5933) |
| 1000+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 5000+ | CNY0.957 (CNY1.0814) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP210DUDJ-7
库存编号
复卷3944144RL
切割卷带3944144
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续200mA
连续漏极电流 Id N沟道200mA
在电阻RDS（上）5.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道200mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道5.5ohm
晶体管封装类型SOT-963
阈值栅源电压最大值1.15V
功耗 Pd330mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道330mW
耗散功率P沟道330mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
连续漏极电流 Id P沟道
200mA
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
5.5ohm
阈值栅源电压最大值
1.15V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
330mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
200mA
在电阻RDS（上）
5.5ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-963
功耗 Pd
330mW
耗散功率N沟道
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001