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双MOSFET :
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制造商
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漏源导通电阻P沟道
=5.5ohm
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.200(CNY2.486) 500+ CNY1.690(CNY1.9097) 1000+ CNY1.120(CNY1.2656) 5000+ CNY1.030(CNY1.1639) | P沟道 | P通道 | 20V | 20V | 20V | 200mA | 5.5ohm | 200mA | 200mA | 表面安装 | 5.5ohm | 4.5V | SOT-963 | 1.15V | 6引脚 | 330mW | 330mW | 330mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY5.040(CNY5.6952) 10+ CNY3.210(CNY3.6273) 100+ CNY2.200(CNY2.486) 500+ CNY1.690(CNY1.9097) 1000+ CNY1.120(CNY1.2656) 更多价格信息... | - | P通道 | 20V | - | 20V | - | - | 200mA | 200mA | - | 5.5ohm | - | SOT-963 | - | 6引脚 | - | 330mW | 330mW | 150°C | ||||||
