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DMP2040USD-13

双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 12 A, 12 A

DIODES INC.
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DIODES INC. DMP2040USD-13 双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 12 A, 12 A
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产品信息

  • DIODES INC.
    制造商DIODES INC.
    制造商产品编号DMP2040USD-13复制
    库存编号
    复卷3944143RL
    切割卷带3944143
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    晶体管极性P沟道
    漏源电压, Vds20V
    漏源电压Vds N沟道20V
    漏源电压Vds P沟道20V
    电流, Id 连续12A
    在电阻RDS（上）0.026ohm
    连续漏极电流 Id N沟道12A
    连续漏极电流 Id P沟道12A
    漏源通态电阻N沟道-
    晶体管安装表面安装
    漏源导通电阻P沟道0.033ohm
    Rds(on)测试电压4.5V
    晶体管封装类型SOIC
    阈值栅源电压最大值1.5V
    针脚数8引脚
    功耗 Pd1.6W
    耗散功率N沟道1.6W
    耗散功率P沟道1.6W
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    汽车质量标准-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    P通道

    漏源电压, Vds

    20V

    漏源电压Vds P沟道

    20V

    在电阻RDS（上）

    0.026ohm

    连续漏极电流 Id P沟道

    12A

    晶体管安装

    表面安装

    Rds(on)测试电压

    4.5V

    阈值栅源电压最大值

    1.5V

    功耗 Pd

    1.6W

    耗散功率P沟道

    1.6W

    产品范围

    -

    汽车质量标准

    -

    晶体管极性

    P沟道

    漏源电压Vds N沟道

    20V

    电流, Id 连续

    12A

    连续漏极电流 Id N沟道

    12A

    漏源通态电阻N沟道

    -

    漏源导通电阻P沟道

    0.033ohm

    晶体管封装类型

    SOIC

    针脚数

    8引脚

    耗散功率N沟道

    1.6W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    United States
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85411000
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000001