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DMP2040USD-13
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 12 A, 12 A
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY6.430 | CNY32.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
| 10+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
| 100+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
| 500+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 1000+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 5000+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2040USD-13
库存编号
复卷3944143RL
切割卷带3944143
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续12A
在电阻RDS（上）0.026ohm
连续漏极电流 Id N沟道12A
连续漏极电流 Id P沟道12A
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
阈值栅源电压最大值1.5V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.6W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.026ohm
连续漏极电流 Id P沟道
12A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
12A
连续漏极电流 Id N沟道
12A
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
1.6W
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001