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DMP2035U
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, P通道, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.160 | CNY10.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 50+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 100+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 500+ | CNY0.937 (CNY1.0588) |
| 1500+ | CNY0.738 (CNY0.8339) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2035U
库存编号
复卷2061419RL
切割卷带2061419
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.6A
漏源接通状态电阻0.035ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
功率耗散810mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMP2035U is a P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed, low input/output leakage, ESD protected
- Drain-source voltage is -20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±10V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -4.9A at TA=+25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current is -24A at TA = +25°C
- Maximum continuous body diode forward current is -1.2A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 35mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.0A, TA = +25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
810mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.040794